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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APT35GP120J
APT35GP120J

APT35GP120J - Microsemi Corporation

品番
APT35GP120J
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APT35GP120J PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
35 pcs
参考価格
USD 38.62/pcs
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APT35GP120J 詳細な説明

品番 APT35GP120J
部品ステータス Active
IGBTタイプ PT
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 64A
電力 - 最大 284W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 3.9V @ 15V, 35A
電流 - コレクタ遮断（最大） 250µA
入力容量（Cies）@ Vce 3.24nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース ISOTOP
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®
重量 -
原産国 -

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