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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APT35GP120J
APT35GP120J

APT35GP120J - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT35GP120J
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT35GP120J PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
35 pcs
Referenzpreis
USD 38.62/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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APT35GP120J detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT35GP120J
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 64A
Leistung max 284W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.24nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ISOTOP
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
Gewicht -
Ursprungsland -

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