| Numero di parte | APT35GN120BG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 94A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Potenza - Max | 379W |
| Cambiare energia | 2.315mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 220nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24ns/300ns |
| Condizione di test | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Dettagli |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Dettagli |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | Dettagli |
