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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT35GN120BG
APT35GN120BG

APT35GN120BG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT35GN120BG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 94A 379W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT35GN120BG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
232 pcs
Referenzpreis
USD 10.2/pcs
Unser Preis
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APT35GN120BG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT35GN120BG
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 94A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 105A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Leistung max 379W
Energie wechseln 2.315mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 220nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 24ns/300ns
Testbedingung 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Gewicht -
Ursprungsland -

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