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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APT35GT120JU2
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2 - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT35GT120JU2
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APT35GT120JU2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1313 pcs
Prix ​​de référence
USD 19.7582/pcs
Notre prix
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APT35GT120JU2 Description détaillée

Numéro d'article APT35GT120JU2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 55A
Puissance - Max 260W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.53nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas ISOTOP
Package de périphérique fournisseur SOT-227
Poids -
Pays d'origine -

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