SI3415A-TP - Micro Commercial Co

Numero di parte	SI3415A-TP
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI3400-BZ-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Dettagli
SI3400-C-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Dettagli
SI3400-D-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Dettagli
SI3400-E1-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Dettagli
SI3400-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Dettagli
SI3400A-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Dettagli
SI3401-D-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Dettagli
SI3401-E1-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Dettagli
SI3401A-TP	Micro Commercial Co	P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Dettagli
SI3402-A-GM	Silicon Labs	IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN	Dettagli