| Numero di parte | SI3400A-TP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.155nF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 400mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SI3400-BZ-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Dettagli |
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SI3400-C-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Dettagli |
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SI3400-D-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Dettagli |
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SI3400-E1-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Dettagli |
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SI3400-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Dettagli |
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SI3400A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | Dettagli |
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SI3401-D-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Dettagli |
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SI3402-A-GM | Silicon Labs | IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN | Dettagli |
