SI3415A-TP - Micro Commercial Co

Artikelnummer	SI3415A-TP
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.4W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI3400-BZ-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Einzelheiten
SI3400-C-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Einzelheiten
SI3400-D-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Einzelheiten
SI3400-E1-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Einzelheiten
SI3400-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Einzelheiten
SI3400A-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Einzelheiten
SI3401-D-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Einzelheiten
SI3401-E1-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Einzelheiten
SI3401A-TP	Micro Commercial Co	P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Einzelheiten
SI3402-A-GM	Silicon Labs	IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN	Einzelheiten