| Numéro d'article | SI3415A-TP |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.4W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23 |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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SI3400-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Détails |
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