SI3401A-TP - Micro Commercial Co

Numéro d'article	SI3401A-TP
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.2A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	400mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI3400-BZ-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-C-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-D-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-E1-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400A-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Détails
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SI3402-A-GM	Silicon Labs	IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN	Détails