IXFH6N100 - IXYS

Numero di parte	IXFH6N100
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXF1002EC	LEVELONE	IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks	Dettagli
IXF611P1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP	Dettagli
IXF611S1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	Dettagli
IXF611S1T/R	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	Dettagli
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	Dettagli
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	Dettagli
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	Dettagli
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	Dettagli
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Dettagli
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli