IXFH6N100 - IXYS

Artikelnummer	IXFH6N100
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	180W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AD (IXFH)
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXF1002EC	LEVELONE	IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks	Einzelheiten
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IXF611S1T/R	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	Einzelheiten
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IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	Einzelheiten
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IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Einzelheiten
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten