IXFH6N100 - IXYS

номер части	IXFH6N100
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	130nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2600pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	180W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247AD (IXFH)
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXF1002EC	LEVELONE	IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks	подробности
IXF611P1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP	подробности
IXF611S1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	подробности
IXF611S1T/R	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	подробности
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	подробности
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	подробности
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	подробности
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	подробности
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	подробности
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	подробности