IXFA10N60P - IXYS

номер части	IXFA10N60P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	32nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1610pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	200W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	740 mOhm @ 5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263 (IXFA)
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	подробности
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	подробности
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	подробности
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	подробности
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	подробности
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXFA130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK	подробности
IXFA130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA	подробности
IXFA130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXFA14N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK	подробности