IXFA10N60P

IXFA10N60P - IXYS

Numero di parte
IXFA10N60P
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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355 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.2/pcs
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IXFA10N60P Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFA10N60P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 740 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (IXFA)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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