IXFA12N50P - IXYS

Numero di parte	IXFA12N50P
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (IXFA)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	Dettagli
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	Dettagli
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	Dettagli
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	Dettagli
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Dettagli
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXFA130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK	Dettagli
IXFA130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA	Dettagli
IXFA130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXFA14N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK	Dettagli