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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFA12N50P
IXFA12N50P

IXFA12N50P - IXYS

品番
IXFA12N50P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFA12N50P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXFA12N50P.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
9986 pcs
参考価格
USD 2.574/pcs
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IXFA12N50P 詳細な説明

品番 IXFA12N50P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 29nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1830pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 200W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 500 mOhm @ 6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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