IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPB090N06N3GATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.51563/pcs
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IPB090N06N3GATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPB090N06N3GATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 34µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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