| Numero di parte | IPB090N06N3 G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB093N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | Dettagli |
 |
IPB096N03LAG | INFINEON | IPB096N03LAG INFINEON TO-263 New Original Stocks | Dettagli |
|
IPB096N03LG | I | IPB096N03LG I TO263 New Original Stocks | Dettagli |
|
IPB096N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 | Dettagli |
|
IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | Dettagli |
|
IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | Dettagli |
|
IPB09N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | Dettagli |
|
IPB09N03LAG | infineon | IPB09N03LAG infineon TO-263 New Original Stocks | Dettagli |
