IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPB090N06N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
319317 pcs
Precio de referencia
USD 0.51563/pcs
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IPB090N06N3GATMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPB090N06N3GATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 34µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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