IPB090N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPB090N06N3GATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 34µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	71W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	IPB090N06N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3	Einzelheiten
	IPB090N06N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3	Einzelheiten