IPB090N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части	IPB090N06N3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 34µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2900pF @ 30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	71W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263AB)
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	IPB090N06N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3	подробности
	IPB090N06N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3	подробности