| Numero di parte | GB04001-S |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Gruppo di frequenza | - |
| Frequenza (centro / banda) | - |
| Intervallo di frequenze | - |
| Tipo di antenna | - |
| Numero di bande | - |
| ROS | - |
| Return Loss | - |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | - |
| Caratteristiche | - |
| fine | - |
| Protezione dall'ingresso | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Altezza (max) | - |
| applicazioni | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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GB01010EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Dettagli |
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GB01020EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Dettagli |
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GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | Dettagli |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | Dettagli |
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | Dettagli |
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GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | Dettagli |
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GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | Dettagli |
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GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Dettagli |
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GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | Dettagli |
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GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | Dettagli |
