| Numéro d'article | GB04001-S |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Groupe de fréquence | - |
| Fréquence (Centre / Bande) | - |
| Gamme de fréquences | - |
| Type d'antenne | - |
| Nombre de bandes | - |
| VSWR | - |
| Perte de retour | - |
| Gain | - |
| Puissance - Max | - |
| Caractéristiques | - |
| Résiliation | - |
| Protection contre la pénétration | - |
| Type de montage | - |
| Hauteur (Max) | - |
| Applications | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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GB01010EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Détails |
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GB01020EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Détails |
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GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | Détails |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | Détails |
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | Détails |
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GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | Détails |
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GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | Détails |
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GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Détails |
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GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | Détails |
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GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | Détails |
