DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN2400UFB4-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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3067500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0714/pcs
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DMN2400UFB4-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN2400UFB4-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 750mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 16V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 600mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN
Peso -
Paese d'origine -

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