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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN2400UFB4-7
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7 - Diodes Incorporated

品番
DMN2400UFB4-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN2400UFB4-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3067500 pcs
参考価格
USD 0.0714/pcs
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DMN2400UFB4-7 詳細な説明

品番 DMN2400UFB4-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 750mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 900mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 36pF @ 16V
Vgs（最大） ±12V
FET機能 -
消費電力（最大） 470mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 550 mOhm @ 600mA, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-XFDFN
重量 -
原産国 -

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