DMN2400UFB4-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN2400UFB4-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.0714/pcs
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Número de pieza	DMN2400UFB4-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	750mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 16V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 600mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / caja	3-XFDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN2400UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN	Detalles
DMN2400UFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4	Detalles
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