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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › DMN24H11DS-7
DMN24H11DS-7

DMN24H11DS-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMN24H11DS-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET BVDSS 101V-250V SOT23 T
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMN24H11DS-7 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
919475 pcs
Precio de referencia
USD 0.17907/pcs
Nuestro precio
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DMN24H11DS-7 Descripción detallada

Número de pieza DMN24H11DS-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 240V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 270mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 76.8pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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