DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMN2400UFDQ-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
275000 pcs
Precio de referencia
USD 0.1007/pcs
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DMN2400UFDQ-13 Descripción detallada

Número de pieza DMN2400UFDQ-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 900mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 37pF @ 16V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor U-DFN1212-3
Paquete / caja 3-XDFN
Peso -
País de origen -

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