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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMN2400UFDQ-7
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN2400UFDQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMN2400UFDQ-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
202500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.117/pcs
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DMN2400UFDQ-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN2400UFDQ-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 37pF @ 16V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 200mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN1212-3
Pacchetto / caso 3-XDFN
Peso -
Paese d'origine -

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