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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMN2450UFB4-7B
DMN2450UFB4-7B

DMN2450UFB4-7B - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN2450UFB4-7B
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMN2450UFB4-7B Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3632260 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.04533/pcs
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DMN2450UFB4-7B Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN2450UFB4-7B
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN
Peso -
Paese d'origine -

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