VS-GT400TH60N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GT400TH60N
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	530A
Puissance - Max	1600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.05V @ 15V, 400A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	30.8nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Double INT-A-PAK (3 + 8)
Package de périphérique fournisseur	Double INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GT100DA120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 258A 893W SOT-227	Détails
VS-GT100DA120UF	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG	Détails
VS-GT100DA60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 184A 577W SOT-227	Détails
VS-GT100LA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227	Détails
VS-GT100NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227	Détails
VS-GT100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK	Détails
VS-GT100TP60N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK	Détails
VS-GT105LA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227	Détails
VS-GT105NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227	Détails
VS-GT120DA65U	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG	Détails