VS-GT400TH60N

VS-GT400TH60N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte
VS-GT400TH60N
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descrizione
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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58 pcs
Prezzo di riferimento
USD 448.5158/pcs
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VS-GT400TH60N Descrizione dettagliata

Numero di parte VS-GT400TH60N
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 530A
Potenza - Max 1600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 400A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 30.8nF @ 30V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Double INT-A-PAK (3 + 8)
Pacchetto dispositivo fornitore Double INT-A-PAK
Peso -
Paese d'origine -

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