VS-GT400TH60N

VS-GT400TH60N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GT400TH60N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
58 pcs
Referenzpreis
USD 448.5158/pcs
Unser Preis
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VS-GT400TH60N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GT400TH60N
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 530A
Leistung max 1600W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 400A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 30.8nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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