| Numero di parte | VS-GT100TP60N |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
| Potenza - Max | 417W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | Dettagli |
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VS-GT100DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 184A 577W SOT-227 | Dettagli |
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VS-GT100NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | Dettagli |
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VS-GT105NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 | Dettagli |
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