Numéro d'article | VS-GT100TP120N |
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État de la pièce | Obsolete |
Type d'IGBT | Trench |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 180A |
Puissance - Max | 652W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | INT-A-PAK (3 + 4) |
Package de périphérique fournisseur | INT-A-PAK |
Poids | - |
Pays d'origine | - |