VS-GT100TP120N

VS-GT100TP120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
VS-GT100TP120N
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
VS-GT100TP120N.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3759 pcs
Prix ​​de référence
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VS-GT100TP120N Description détaillée

Numéro d'article VS-GT100TP120N
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 180A
Puissance - Max 652W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 12.8nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur INT-A-PAK
Poids -
Pays d'origine -

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