VS-GT100DA120UF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GT100DA120UF
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	187A
Puissance - Max	890W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.55V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	6.15nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur	SOT-227
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GT100DA120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 258A 893W SOT-227	Détails
VS-GT100DA120UF	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG	Détails
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