• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › VS-GT100DA120UF
VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番
VS-GT100DA120UF
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明
OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
VS-GT100DA120UF PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4085 pcs
参考価格
USD 40.29/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF 詳細な説明

品番 VS-GT100DA120UF
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 187A
電力 - 最大 890W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.55V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断（最大） 100µA
入力容量（Cies）@ Vce 6.15nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227
重量 -
原産国 -

関連製品 VS-GT100DA120UF

画像 品番 メーカー 説明 見る
VS-GT100DA120U VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 詳細
VS-GT100DA120UF VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG 詳細
VS-GT100DA60U VS-GT100DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 184A 577W SOT-227 詳細
VS-GT100LA120UX VS-GT100LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 詳細
VS-GT100NA120UX VS-GT100NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 詳細
VS-GT100TP120N VS-GT100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK 詳細
VS-GT100TP60N VS-GT100TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK 詳細
VS-GT105LA120UX VS-GT105LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227 詳細
VS-GT105NA120UX VS-GT105NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 詳細
VS-GT120DA65U VS-GT120DA65U Vishay Semiconductor Diodes Division OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG 詳細