| Numéro d'article | VS-ETL015Y120H |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench |
| Configuration | - |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 22A |
| Puissance - Max | 89W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.03V @ 15V, 15A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 75µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 1.07nF @ 30V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | EMIPAK-2B |
| Package de périphérique fournisseur | EMIPAK-2B |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | Détails |
 |
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | Détails |
 |
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | Détails |
 |
VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | Détails |
 |
VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | Détails |
 |
VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | Détails |
|
VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | Détails |
|
VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | Détails |
 |
VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | Détails |
|
VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | Détails |
