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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › VS-ETL015Y120H
VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120H - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-ETL015Y120H
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-ETL015Y120H PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15 pcs
Referenzpreis
USD 77.94/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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VS-ETL015Y120H detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-ETL015Y120H
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 22A
Leistung max 89W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.03V @ 15V, 15A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 75µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.07nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall EMIPAK-2B
Lieferantengerätepaket EMIPAK-2B
Gewicht -
Ursprungsland -

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