VS-ETF150Y65U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-ETF150Y65U
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench
Configuration	Three Level Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	142A
Puissance - Max	417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.06V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	6.6nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	EMIPAK-2B
Package de périphérique fournisseur	EMIPAK-2B
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-ETF075Y60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B	Détails
VS-ETF150Y65N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 650V 150A EMIPAK-2B	Détails
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