VS-ETF150Y65U - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-ETF150Y65U
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench
конфигурация	Three Level Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	142A
Мощность - макс.	417W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.06V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	6.6nF @ 30V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	EMIPAK-2B
Пакет устройств поставщика	EMIPAK-2B
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-ETF075Y60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B	подробности
VS-ETF150Y65N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 650V 150A EMIPAK-2B	подробности
VS-ETF150Y65U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 650V 150A EMIPAK-2B	подробности
VS-ETH0806-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2	подробности
VS-ETH0806FP-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2	подробности
VS-ETH1506-1HM3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE HYPERFAST 15A TO-262	подробности
VS-ETH1506-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2	подробности
VS-ETH1506FP-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP	подробности
VS-ETH1506S-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK	подробности
VS-ETH1506SHM3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE HYPERFAST 15A D2PAK	подробности