| номер части | VS-ETH1506S-M3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 15A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 2.45V @ 15A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 29ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 15µA @ 600V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | подробности |
 |
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | подробности |
 |
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | подробности |
 |
VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | подробности |
 |
VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | подробности |
 |
VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | подробности |
|
VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | подробности |
|
VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | подробности |
|
VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | подробности |
|
VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | подробности |
