| Numéro d'article | VS-ETH0806FP-M3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 8A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 2.65V @ 8A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 21ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 12µA @ 600V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-2 Full Pack |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220-2 Full Pack |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | Détails |
 |
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | Détails |
 |
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | Détails |
 |
VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | Détails |
|
VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | Détails |
 |
VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | Détails |
|
VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | Détails |
|
VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | Détails |
 |
VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | Détails |
|
VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | Détails |
