VS-ETH1506-1HM3 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-ETH1506-1HM3
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io)	15A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	2.45V @ 15A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	42ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	15µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package de périphérique fournisseur	TO-262AA
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-ETF075Y60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B	Détails
VS-ETF150Y65N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 650V 150A EMIPAK-2B	Détails
VS-ETF150Y65U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 650V 150A EMIPAK-2B	Détails
VS-ETH0806-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2	Détails
VS-ETH0806FP-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2	Détails
VS-ETH1506-1HM3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE HYPERFAST 15A TO-262	Détails
VS-ETH1506-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2	Détails
VS-ETH1506FP-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP	Détails
VS-ETH1506S-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK	Détails
VS-ETH1506SHM3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE HYPERFAST 15A D2PAK	Détails