SIUD402ED-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SIUD402ED-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.25W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 0806
Paquet / cas	PowerPAK® 0806
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SIUD401ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806	Détails
SIUD402ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806	Détails
SIUD403ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 500MA 0806	Détails
SIUD406ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806	Détails