SIUD402ED-T1-GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호	SIUD402ED-T1-GE3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id	900mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	1.2nC @ 8V
Vgs (최대)	±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	16pF @ 10V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	1.25W (Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	PowerPAK® 0806
패키지 / 케이스	PowerPAK® 0806
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
SIUD401ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806	세부
SIUD402ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806	세부
SIUD403ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 500MA 0806	세부
SIUD406ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806	세부