SIUD402ED-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIUD402ED-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.25W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 0806
Paket / Fall	PowerPAK® 0806
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIUD401ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806	Einzelheiten
SIUD402ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806	Einzelheiten
SIUD403ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 500MA 0806	Einzelheiten
SIUD406ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806	Einzelheiten