SIUD402ED-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIUD402ED-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1.2nC @ 8V
Vgs (Макс.)	±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	16pF @ 10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.25W (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 0806
Упаковка / чехол	PowerPAK® 0806
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SIUD401ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806	подробности
SIUD402ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806	подробности
SIUD403ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 500MA 0806	подробности
SIUD406ED-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806	подробности