SIUD406ED-T1-GE3

SIUD406ED-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SIUD406ED-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1507787 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1092/pcs
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SIUD406ED-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SIUD406ED-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.46 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 0806
Paquet / cas PowerPAK® 0806
Poids -
Pays d'origine -

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